Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (io150u6m) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм (LibMikron_SOI_250_6M)

«Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (io150u6m) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм (LibMikron_SOI_250_6M)» включено в реестр российского ПО: реестровая запись № 30995, решение Экспертного совета (протокол № 977пр от 14.11.2025). Правообладатель — АО "НИИМЭ". Заявление № 344286 от 31.10.2025.

Статус: Включено в реестр · Этап: В реестре · ПО

Номер заявления: № 344286, зарегистрировано 31.10.2025
Правообладатель: АО "НИИМЭ"
Реестровая запись: Реестровая запись №30995 от 26.11.2025
Классы ПО: 08.04 Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

О продукте

Комплект средств проектирования - это набор, состоящий из специального программного обеспечения (вспомогательные командные файлы, скрипты, модели или представления (файлы) в индустриальных стандартах, необходимые разработчику для осуществления процесса проектирования, моделирования и верификации электрической схемы и топологии СБИС). Содержит схемотехническое (schematic), топологическое (layout) и символьное (symbol) представления интерфейсных элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (в составе библиотеки io150u6m) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_025_6M) в формате Open Access, а также комплект технологических представлений в индустриальных форматах (CDL / CeltIC / CKT / GDS / LEF / Liberty / LPE / Verilog) и документация (databook / UM) обеспечивающий прохождение соответствующих этапов маршрута проектирования интерфейсной части цифровых и цифро-аналоговых (в цифровой части) СБИС.

Что умеет

"Комплект средств проектирования, содержащий данные технологической среды проектирования, состоящий из библиотеки аналоговых примитивов, технологического файла, файлов физической верификации, целевого профиля паразитной RC экстракции, SPICE-моделей и других вспомогательных программ, скриптов, предоставляемых разработчику и необходимых для осуществления процесса проектирования и моделирования электрических схем, разработки и верификации топологии интегральных схем. Поддерживаемые версии САПР: Производитель / Название / Версия Cadence Inc / G22Design Framework II / IC6.1.8-64b.500.34 Open Access / / v22.60.091 Cadence Inc / SPECTRE / 19.1.0.237.isr3 Mentor a Siemens Business / Calibre / 2019.2_26.18 Описание: Семейство технологий: SOI250 КМОП КНИ 0.25 мкм Базовая технология: SOI250_6M_3.3V Питание, core, V: 3.3 Питание, I/O, V: 3.3 # Me: 6 RF devices:
Thick Me:
HIPO: + MIM: + OTP:
EEPROM:
PDK: + Stdcells: + I/O: + Компилятор RAM: SP Компилятор RОM6: + IPs: + Статус: Освоено Примечание: стойкость к воздействию спец. факторов, обеспечиваемая технологией изготовления и комплектом средств проектирования, которая достигается использованием специализированных СФ блоков. Функциональные характеристики 1. Поддержка аппаратных средств с архитектурой процессора x86 или совместимой:
процессоры семейства x86-64 с тактовой частотой не менее 3.2ГГц
оперативная память не менее 16 Гб
графический процессор не требуется
объем дискового пространства не менее 500 Гб
Операционная система (далее ОС): o Linux: CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция». o python34, ksh: 2. Библиотеки аналоговых примитивов: Описание: Включает аналоговые приборы, пассивные компоненты и специальные элементы. Функция: Обеспечивает базовые строительные блоки для проектирования ИС. 3. Модели устройств: Описание: SPICE-модели для транзисторов, диодов и других компонентов. Функция: Позволяет выполнять точное моделирование и симуляцию электрических характеристик. 4. Правила проектирования (DRC/LVS): Описание: Набор правил для проверки топологии (Design Rule Checking) и соответствия схемы (Layout Versus Schematic). Функция: Обеспечивает соответствие топологии технологическим ограничениям и корректность проектирования. 5. Инструменты экстракции: Описание: Средства для экстракции паразитных элементов. Функция: Позволяет учитывать влияние паразитных эффектов на поведение схемы. 6. Технологические файлы: Описание: Информация о слоях, масках и процессах. Функция: Обеспечивает данные для точного проектирования и производства. 7. Документация: Описание: Руководства и справочные материалы. Функция: Обучает и поддерживает инженеров в использовании PDK. 8. Поддержка автоматизации: Описание: Скрипты и инструменты для автоматизации проектных процессов. Функция: Ускоряет разработку и повышает её эффективность. 9. Интерфейсы и совместимость: Описание: Совместимость с различными EDA-инструментами. Функция: Обеспечивает интеграцию PDK с популярными программными средствами для проектирования. 10. Поддерживаемый технологический процесс: Напряжение питания: процесс разработан для напряжения питания
3.3В (± 0.3В). Исходные пластины со структурой КНИ (подложка <100> Р-типа с удельным сопротивлением 8-22 Ом·см, слой изолирующего окисла толщиной 150 нм, приборный слой кремния толщиной 76
100 нм, <100> Р-типа с удельным сопротивлением 8.5
11.5 Ом·см). Щелевая изоляция (STI). Особенностями данного техпроцесса являются: присутствие силицида на активных областях и на поликремнии, наличие резисторов на основе активных областей, использование межсоединений с использованием N+ или Р+ поликремния. Транзисторы с низкими токами утечки(с высоким пороговым напряжением) могут использоваться для напряжения питания 3.3В. Слой локальных межсоединений (LIL)–вольфрамовый слой для локальных межсоединений (R=200 мОм/□). Металл 1, 2, 3, 4: Al-Cu слои металлизации, шаг трассировки которых равен 0.64 мкм (R=100 мОм/□). Металл 5, 6: слои металлизации с шагом трассировки в 1.28 мкм, которые предпочтительно использовать для разводки шин питания, шин тактовых сигналов и других основных шин передачи сигнала (R=50 мОм/□). Диэлектрик с низким коэффициентом д/э проницаемости, используется как межслойный диэлектрик между Металлами 1, 2, 3, 4, 5, 6. Доступна опция RHIPO резистора, на несилицидированном поликремнии с сопротивлением близким к 1000 Ом/кв. Доступна опция MIM конденсатора (удельная ёмкость 0,85 фФ/мкм² или 2.1 фФ/мкм²)."

Код ОКПД 2: 62 Продукты программные и услуги по разработке программного обеспечения; консультационные и аналогичные услуги в области информационных технологий
ИНН правообладателя: 7735579027
Государство регистрации: Россия
Документация: niime.ru
Стоимость и лицензия: niime.ru

По карточке заявления на сайте реестра, обновлена там 24.10.2025.

Решения Экспертного совета

Включить в реестр — протокол № 977пр от 14.11.2025, голосование: за 26, против 0, воздержались 1; поручение оператору от 26.11.2025
- Класс программного обеспечения: Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

История заявления

26.11.2025 — реестровая запись № 30995
14.11.2025 — решение Экспертного совета: Включить в реестр (протокол № 977пр)
31.10.2025 — появилось в списке со статусом «Включено в реестр»

Другие продукты правообладателя

Все заявления — АО "НИИМЭ"

О продукте

Что умеет

Решения Экспертного совета

История заявления

Другие продукты правообладателя

Похожие продукты в классе 08.04

Читайте также