Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 6 металлов (HCMOS8D)

«Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 6 металлов (HCMOS8D)» включено в реестр российского ПО: реестровая запись № 30902, решение Экспертного совета (протокол № 977пр от 14.11.2025). Правообладатель — АО "НИИМЭ". Заявление № 343520 от 14.10.2025.

Статус: Включено в реестр · Этап: В реестре · ПО

Номер заявления: № 343520, зарегистрировано 14.10.2025
Правообладатель: АО "НИИМЭ"
Реестровая запись: Реестровая запись №30902 от 26.11.2025
Классы ПО: 08.04 Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

О продукте

Комплект средств проектирования - это набор, состоящий из программного обеспечения (вспомогательные программы, скрипты, необходимые разработчику для осуществления процесса проектирования и моделирования электрических схем, разработки и верификации топологии интегральных схем) и данных технологической среды проектирования, состоящих из библиотеки аналоговых примитивов, технологического файла, файлов физической верификации, целевого профиля паразитной RC экстракции, SPICE-моделей. Использование комплекта средств проектирования позволяет разрабатывать интегральные схемы (далее ИС) любой сложности, включая ИС типа СнК для различного применения и назначения и изготавливать их на отечественном технологическом полупроводниковом базисе КМОП 180 нм 6 металлов.

Поддержка аппаратных средств с архитектурой процессора x86 или совместимой: · процессоры семейства x86-64 с тактовой частотой не менее 3.2ГГц; · оперативная память не менее 16 Гб; · графический процессор не требуется; · объем дискового пространства не менее 500 Гб. · Операционная система (далее ОС): o Linux: CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция». o python34, ksh: 2. Библиотеки аналоговых примитивов: · Описание: Включает аналоговые приборы, пассивные компоненты и специальные элементы. · Функция: Обеспечивает базовые строительные блоки для проектирования ИС. 3. Модели устройств: · Описание: SPICE-модели для транзисторов, диодов и других компонентов. · Функция: Позволяет выполнять точное моделирование и симуляцию электрических характеристик. 4. Правила проектирования (DRC/LVS): · Описание: Набор правил для проверки топологии (Design Rule Checking) и соответствия схемы (Layout Versus Schematic). · Функция: Обеспечивает соответствие топологии технологическим ограничениям и корректность проектирования. 5. Инструменты экстракции: · Описание: Средства для экстракции паразитных элементов. · Функция: Позволяет учитывать влияние паразитных эффектов на поведение схемы. 6. Технологические файлы: · Описание: Информация о слоях, масках и процессах. · Функция: Обеспечивает данные для точного проектирования и производства. 7. Документация: · Описание: Руководства и справочные материалы. · Функция: Обучает и поддерживает инженеров в использовании PDK. 8. Поддержка автоматизации: · Описание: Скрипты и инструменты для автоматизации проектных процессов. · Функция: Ускоряет разработку и повышает её эффективность. 9. Интерфейсы и совместимость: · Описание: Совместимость с различными EDA-инструментами. · Функция: Обеспечивает интеграцию PDK с популярными программными средствами для проектирования. 10. Поддерживаемый технологический процесс: · Напряжение питания ядра 1.8 В (+0.15 В/–0.15 В), периферии 3.3 В или 5В; · Ключевые особенности FE части: o КМОП процесс с двумя типами карманов и подложкой <100> P-типа с эпитаксией P+типа (толщина эпитаксиального слоя равна 6 мкм, удельное сопротивление подложки равно 10-13 Ом*см); o Особенностями технологического процесса являются: присутствие салицида на PN-переходах и на поликремнии; наличие резисторов на основе активных областей; использование меж соединений с использованием N+ или Р+ поликремния; o Транзисторы типа High Performance (Low Vt); o Транзисторы типа Low Leakage (High Vt); o Опционально высокоомный несилицидированный резистор HIPO 1000 Ом/□.; o Опционально конденсатор на тонком оксиде MIM 0.85 фФ/мкм2; o Опционально конденсатор на тонком нитриде MIM 2 фФ/мкм2. · Ключевые особенности BE части: o Дополнительный вольфрамовый слой Local Interconnect Level (LIL) для локальных меж соединений (R = 320мОм/□); o Металл 1, 2, 3, 4: Al-Cu слои металлизации, шаг трассировки которых равен 0.64 мкм (R = 72 мОм/□); o Металл 5, 6: слои металлизации, шаг трассировки которых равен 1.28 мкм (R = 35 мОм/□);

Код ОКПД 2: 62 Продукты программные и услуги по разработке программного обеспечения; консультационные и аналогичные услуги в области информационных технологий
ИНН правообладателя: 7735579027
Государство регистрации: Россия
Документация: niime.ru
Стоимость и лицензия: niime.ru

По карточке заявления на сайте реестра, обновлена там 10.10.2025.

Решения Экспертного совета

Включить в реестр — протокол № 977пр от 14.11.2025, голосование: за 26, против 0, воздержались 1; поручение оператору от 26.11.2025
- Класс программного обеспечения: Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

История заявления

26.11.2025 — реестровая запись № 30902
14.11.2025 — решение Экспертного совета: Включить в реестр (протокол № 977пр)
14.10.2025 — появилось в списке со статусом «Включено в реестр»

Другие продукты правообладателя

Все заявления — АО "НИИМЭ"

Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 6 металлов (HCMOS8D)

О продукте

Решения Экспертного совета

История заявления

Другие продукты правообладателя

Похожие продукты в классе 08.04

Читайте также