Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм 7 металлов (HCMOS10_LP_7M_2.5V)

«Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм 7 металлов (HCMOS10_LP_7M_2.5V)» включено в реестр российского ПО: реестровая запись № 28877, решение Экспертного совета (протокол № 528пр от 08.07.2025). Правообладатель — АО "НИИМЭ". Заявление № 335958 от 13.06.2025.

Статус: Включено в реестр · Этап: В реестре · ПО

Номер заявления: № 335958, зарегистрировано 13.06.2025
Правообладатель: АО "НИИМЭ"
Реестровая запись: Реестровая запись №28877 от 28.07.2025
Классы ПО: 08.04 Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

О продукте

Комплект средств проектирования, содержащий данные технологической среды проектирования, состоящий из библиотеки аналоговых примитивов, технологического файла, файлов физической верификации, целевого профиля паразитной RC экстракции, SPICE-моделей и других вспомогательных программ, скриптов, предоставляемых разработчику и необходимых для осуществления процесса проектирования и моделирования электрических схем, разработки и верификации топологии интегральных схем

1. Поддержка аппаратных средств с архитектурой процессора x86 или совместимой: • процессоры семейства x86-64 с тактовой частотой не менее 3.2ГГц; • оперативная память не менее 16 Гб; • графический процессор не требуется; • объем дискового пространства не менее 500 Гб. • Операционная система (далее ОС): o Linux: CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция». o python34, ksh: 2. Библиотеки аналоговых примитивов: • Описание: Включает аналоговые приборы, пассивные компоненты и специальные элементы. • Функция: Обеспечивает базовые строительные блоки для проектирования ИС. 3. Модели устройств: • Описание: SPICE-модели для транзисторов, диодов и других компонентов. • Функция: Позволяет выполнять точное моделирование и симуляцию электрических характеристик. 4. Правила проектирования (DRC/LVS): • Описание: Набор правил для проверки топологии (Design Rule Checking) и соответствия схемы (Layout Versus Schematic). • Функция: Обеспечивает соответствие топологии технологическим ограничениям и корректность проектирования. 5. Инструменты экстракции: • Описание: Средства для экстракции паразитных элементов. • Функция: Позволяет учитывать влияние паразитных эффектов на поведение схемы. 6. Технологические файлы: • Описание: Информация о слоях, масках и процессах. • Функция: Обеспечивает данные для точного проектирования и производства. 7. Документация: • Описание: Руководства и справочные материалы. • Функция: Обучает и поддерживает инженеров в использовании PDK. 8. Поддержка автоматизации: • Описание: Скрипты и инструменты для автоматизации проектных процессов. • Функция: Ускоряет разработку и повышает её эффективность. 9. Интерфейсы и совместимость: • Описание: Совместимость с различными EDA-инструментами. • Функция: Обеспечивает интеграцию PDK с популярными программными средствами для проектирования. 10. Поддерживаемый технологический процесс: • Напряжение питания: Процесс разработан для 1.2 В применений с 2.5В ячейками I/O • Ключевые особенности FE части: o Техпроцесс с изолированными Р-областями (DNW) и двух карманной структурой; o Щелевая изоляция (Shallow trench isolation-STI); o Один слой поликремния на Р-подложке типа (100) с ориентацией <110>; o Толщина подзатворного диэлектрика 21 А, кобальт силицидные контакты на переходах, поликремниевые затворы , а также резисторы на активных областях и поликремнии N+ и P+ типа; o 1.2 В транзисторы с двумя пороговыми напряжениями; o 2.5 В транзисторы с подзатворным диэлектриком 5 нм для IO. • Ключевые особенности BE части: o Семь металлических слоев; o Медь по технологии Damascene (металлы от 1-го до последнего уровня); o Толстый металл для шин питания, тактовых сигналов и ключевых сигнальных шин, а также для индукторов в аналоговых и RF приложениях; o Металл 1, 2, 3, 4, 5: медные слои металлизации, шаг трассировки которых равен 0.28 мкм ; o Диэлектрик с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости (Low K) используется как межслойный диэлектрик между металлами 1, 2, 3, 4, 5;

Код ОКПД 2: 62 Продукты программные и услуги по разработке программного обеспечения; консультационные и аналогичные услуги в области информационных технологий
ИНН правообладателя: 7735579027
Государство регистрации: Россия
Документация: niime.ru
Стоимость и лицензия: niime.ru

По карточке заявления на сайте реестра, обновлена там 06.06.2025.

Решения Экспертного совета

Включить в реестр — протокол № 528пр от 08.07.2025, голосование: за 19, против 0, воздержались 1; поручение оператору от 28.07.2025
- Класс программного обеспечения: Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

История заявления

28.07.2025 — реестровая запись № 28877
08.07.2025 — решение Экспертного совета: Включить в реестр (протокол № 528пр)
13.06.2025 — появилось в списке со статусом «Включено в реестр»

Другие продукты правообладателя

Все заявления — АО "НИИМЭ"

Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм 7 металлов (HCMOS10_LP_7M_2.5V)

О продукте

Решения Экспертного совета

История заявления

Другие продукты правообладателя

Похожие продукты в классе 08.04

Читайте также