Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)

«Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)» включено в реестр российского ПО: реестровая запись № 28250, решение Экспертного совета (протокол № 312пр от 15.05.2025). Правообладатель — АО "НИИМЭ". Заявление № 333256 от 28.04.2025.

Статус: Включено в реестр · Этап: В реестре · ПО

Номер заявления: № 333256, зарегистрировано 28.04.2025
Правообладатель: АО "НИИМЭ"
Реестровая запись: Реестровая запись №28250 от 19.05.2025
Классы ПО: 08.04 Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

О продукте

Комплект средств проектирования, содержащий данные технологической среды проектирования и состоящий из библиотеки аналоговых примитивов, технологического файла, файлов физической верификации, целевого профиля паразитной RC экстракции, SPICE-моделей и других вспомогательных программ, скриптов, предоставляемых разработчику и необходимых для осуществления процесса проектирования и моделирования электрических схем, разработки и верификации топологии интегральных схем.

1. Поддержка аппаратных средств с архитектурой процессора x86 или совместимой: • процессоры семейства x86-64 с тактовой частотой не менее 3.2ГГц; • оперативная память не менее 16 Гб; • графический процессор не требуется; • объем дискового пространства не менее 500 Гб. • Операционная система (далее ОС): o Linux: CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция». o python34, ksh: 2. Библиотеки аналоговых примитивов: • Описание: Включает аналоговые приборы, пассивные компоненты и специальные элементы. • Функция: Обеспечивает базовые строительные блоки для проектирования ИС. 3. Модели устройств: • Описание: SPICE-модели для транзисторов, диодов и других компонентов. • Функция: Позволяет выполнять точное моделирование и симуляцию электрических характеристик. 4. Правила проектирования (DRC/LVS): • Описание: Набор правил для проверки топологии (Design Rule Checking) и соответствия схемы (Layout Versus Schematic). • Функция: Обеспечивает соответствие топологии технологическим ограничениям и корректность проектирования. 5. Инструменты экстракции: • Описание: Средства для экстракции паразитных элементов. • Функция: Позволяет учитывать влияние паразитных эффектов на поведение схемы. 6. Технологические файлы: • Описание: Информация о слоях, масках и процессах. • Функция: Обеспечивает данные для точного проектирования и производства. 7. Документация: • Описание: Руководства и справочные материалы. • Функция: Обучает и поддерживает инженеров в использовании PDK. 8. Поддержка автоматизации: • Описание: Скрипты и инструменты для автоматизации проектных процессов. • Функция: Ускоряет разработку и повышает её эффективность. 9. Интерфейсы и совместимость: • Описание: Совместимость с различными EDA-инструментами. • Функция: Обеспечивает интеграцию PDK с популярными программными средствами для проектирования. 10. Поддерживаемый технологический процесс: • Напряжение питания: Процесс разработан для 1.8 В применений с 5.0В ячейками I/O • Ключевые особенности FE части: o Щелевая изоляция (Shallow trench isolation-STI); o КМОП процесс с двумя типами карманов и подложкой <100> P-типа с эпитаксией P+типа (толщина эпитаксиального слоя равна 6 мкм, удельное сопротивление подложки равно 10-13 Ом*см); o Особенностями технологического процесса являются: присутствие салицида на PN-переходах и на поликремнии; наличие резисторов на основе активных областей; использование меж соединений с использованием N+ или Р+ поликремния; добавление технологических модулей (областей), предназначенных для интеграции высоковольтных(ВВ) транзисторов для работы ЭСППЗУ; o Транзисторы типа Low Leakage (High Vt) с параметрами Tox= 3.5нм, L = 0.18мкм доступны для 1.8В приложений; o Транзисторы типа High voltage (HV) с параметрами Tox= 20нм, L = 0.8мкм. • Ключевые особенности BE части: o Дополнительный вольфрамовый слой Local Interconnect Level (LIL) для локальных меж соединений (R = 320мОм/□); o Металл 1, 2, 3, 4: Al-Cu слои металлизации, шаг трассировки которых равен 0.64 мкм (R = 72 мОм/□); o · Диэлектрик с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости (Low K) используется как межслойный диэлектрик между металлами 1, 2, 3, 4.

Код ОКПД 2: 62 Продукты программные и услуги по разработке программного обеспечения; консультационные и аналогичные услуги в области информационных технологий
ИНН правообладателя: 7735579027
Государство регистрации: Россия
Документация: niime.ru
Стоимость и лицензия: niime.ru

По карточке заявления на сайте реестра, обновлена там 24.04.2025.

Решения Экспертного совета

Включить в реестр — протокол № 312пр от 15.05.2025, голосование: за 19, против 0, воздержались 0; поручение оператору от 19.05.2025
- Класс программного обеспечения: Средства автоматизированного проектирования для радиоэлектроники и электротехники (ECAD, EDA)

История заявления

19.05.2025 — реестровая запись № 28250
15.05.2025 — решение Экспертного совета: Включить в реестр (протокол № 312пр)
28.04.2025 — появилось в списке со статусом «Включено в реестр»

Другие продукты правообладателя

Все заявления — АО "НИИМЭ"

Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)

О продукте

Решения Экспертного совета

История заявления

Другие продукты правообладателя

Похожие продукты в классе 08.04

Читайте также